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J-GLOBAL ID：201802283871948159   Reference number：18A1697742

GaN(0001)自然酸化膜の複合的評価

Author (9)： IROKAWA YOSHIHIRO (物質・材料研究機構) ,  SUZUKI TAKU (物質・材料研究機構) ,  YUGE KAZUYA (物質・材料研究機構) ,  OI AKIHIKO (物質・材料研究機構) ,  NABATAME TOSHIHIDE (物質・材料研究機構) ,  KIMOTO KOJI (物質・材料研究機構) ,  ONISHI TSUYOSHI (物質・材料研究機構) ,  MITSUISHI KAZUTAKA (物質・材料研究機構) ,  KOIDE YASUO (物質・材料研究機構)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.18p-PA6-20  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *compound semiconductor ,  *gallium nitride ,  crystal orientation ,  *oxide film ,  ion scattering spectroscopy ,  low energy ion scattering ,  RHEED ,  electron microscopy ,  scanning transmisson electron microscope ,  *surface structure ,  Photoelectron Spectroscopy ,  natural oxide film ,  ultraviolet photoelectron spectroscopy ,  *conversion coating film ,  *structure

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (3)： GaN ,  自然酸化膜 ,  評価