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J-GLOBAL ID：201802285298997930   Reference number：18A0822728

A Method for Determining Trap Distributions of Specific Channel Surfaces in InGaAs Tri-Gate MOSFETs

InGaAsトリゲートMOSFETにおける特定チャネル表面のトラップ分布を決定する方法【JST・京大機械翻訳】

Author (5)： Netsu Seiko (Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan) ,  Hellenbrand Markus (Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Lund, Sweden) ,  Zota Cezar B. (Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Lund, Sweden) ,  Miyamoto Yasuyuki (Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan) ,  Lind Erik (Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Lund, Sweden)
Material： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE J Electron Divices Soc)
Volume： 6  Page： 408-412  Publication year： 2018 
JST Material Number： W2429A  ISSN： 2168-6734  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We present a method for estima...

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Thesaurus term： hysteresis ,  *channel ,  surface chemistry ,  *indium gallium arsenide ,  *MOSFET ,  nanowire ,  re-growth ,  trap density ,  linear combination
Semi thesaurus term： チャネル幅 ,  MuGFET , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Signal theory  (ND02020G) ,  Pattern recognition  (JE07000S)

Terms in the title (7)： InGaAs ,  トリ ,  ゲート ,  MOSFET ,  チャネル ,  トラップ ,  分布