Art

J-GLOBAL ID：201802285332546619   Reference number：18A0742396

Analytical Solutions for the Surface States of Bi_1-xSb_x (0 ≦ x ≦ 0.1)

Bi_1-xSb_x(0≦x≦0.1)の表面状態に対する解析解

Author (2)： FUSEYA Yuki (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  FUKUYAMA Hidetoshi (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
Material： Journal of the Physical Society of Japan  (JPSJ)
Volume： 87  Issue： 4  Page： 044710.1-044710.10  Publication year： Apr. 15, 2018 
JST Material Number： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： modeling ,  tight binding approximation ,  thin film ,  *surface level ,  conduction band ,  valence band ,  spin-orbit interaction ,  semi-infinite body ,  antimonide ,  *bismuth compound ,  analytical solution ,  insulator ,  Brillouin zone ,  topological insulator ,  *topological surface state
Semi thesaurus term： Wolffモデル ,  アンチモン化ビスマス ,  Tight-binding model ,  analytic solution

JST classification (1)： Electronic structure of surfaces  (BM02080J)

Reference (59)：

• P. Hofmann, Prog. Surf. Sci. 81, 191 (2006).
• T. Hirahara, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 201, 98 (2015).
• G. Jezequel, Y. Petroff, R. Pinchaux, and F. Yndurain, Phys. Rev. B 33, 4352 (1986).
• M. Hengsberger, P. Segovia, M. Garnier, D. Purdie, and Y. Baer, Eur. Phys. J. B 17, 603 (2000).
• C. R. Ast and H. Höchst, Phys. Rev. Lett. 87, 177602 (2001).

Terms in the title (1)： 解析解