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J-GLOBAL ID：201802288334176370   Reference number：18A0949268

Ultrashort-Pulse Laser Processing and Evaluation of Heat-Affected Zone in Semiconductor Device

半導体デバイスの超短パルスレーザー加工と熱影響評価

Author (10)： NARAZAKI AIKO (産業技術総合研) ,  NISHINAGA JIRO (産業技術総合研) ,  TAKADA HIDEYUKI (産業技術総合研) ,  SATO TADATAKE (産業技術総合研) ,  NIINO HIROYUKI (産業技術総合研) ,  TORIZUKA KENJI (産業技術総合研) ,  KAMIKAWA YUKIKO (産業技術総合研) ,  ISHIZUKA SHOGO (産業技術総合研) ,  SHIBATA HAJIME (産業技術総合研) ,  NIKI SHIGERU (産業技術総合研)
Material： 電気学会研究会資料
Issue： OQD-18-010-021 光・量子デバイス研究会  Page： 33-37  Publication year： Mar. 09, 2018 
JST Material Number： Z0924B  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： ultrashort pulse laser ,  *laser beam machining ,  *semiconductor device ,  *thermal effect ,  marking off ,  solar cell ,  electron beam induced current ,  scanning probe microscope ,  electric resistance ,  fine patterning ,  transference electrode
Semi thesaurus term： *semiconductor element ,  Laser scribing ,  CIGS solar battery ,  scanning spreading resistance microscope ,  shunt resistance ,  lift off

JST classification (4)： Solar cell  (NC03084O) ,  Special machining  (QC04000Y) ,  Microscopy determination of structures  (BK01040E) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： 半導体デバイス ,  短パルスレーザー ,  熱影響 ,  評価