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J-GLOBAL ID：201802289332835759   Reference number：18A0910826

Improvement in wettability of porous Si by carboxylate termination

カルボキシレート終端による多孔質Siの濡れ性向上

Author (6)： SAKAKIBARA Masanori (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN) ,  MATSUMOTO Kimihisa (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN) ,  KAMIYA Kazuhide (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN) ,  KAWABATA Shigeki (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN) ,  INADA Mitsuru (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  SUZUKI Shinya (National Inst. of Technol., Nagano Coll., Nagano, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 2S2  Page： 02CB16.1-02CB16.6  Publication year： Feb. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *carboxylate(salt) ,  *termination ,  porous silicon ,  *wetting(liquid) ,  FTIR spectroscopy ,  *photoluminescence
Semi thesaurus term： *carboxylate ,  time-resolved photoluminescence ,  *termination ,  surface wettability

JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Aliphatic carboxylic acids,peroxycarboxylic acids,thiocarboxylic acids  (CF03200E)

Terms in the title (4)： カルボキシレート ,  終端 ,  多孔質Si ,  濡れ性