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J-GLOBAL ID：201802289923085709   Reference number：18A0910737

Atmospheric-pressure plasma jet system for silicon etching without fluorocarbon gas feed

フルオロカーボンガスを用いないシリコンエッチング用大気圧プラズマジェットシステム

Author (2)： OHTSU Yasunori (Saga Univ., Saga, JPN) ,  NAGAMATSU Kenta (Saga Univ., Saga, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 1S  Page： 01AB01.1-01AB01.4  Publication year： Jan. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *aliphatic fluorine compound ,  *silicon ,  *plasma etching ,  *plasma jet ,  atomic force microscope ,  silent discharge ,  inductively coupled plasma ,  plasma ,  surface structure ,  *atmospheric pressure plasma jet ,  capacitively coupled plasma ,  surface morphology ,  structure
Semi thesaurus term： *fluorocarbon ,  DBD ,  ICP ,  capacitively coupled plasma ,  surface morphology

JST classification (2)： Space and astrophysical plasma  (BJ02020M) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (2)： シリコンエッチング ,  大気圧プラズマジェット