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J-GLOBAL ID：201802290199379931   Reference number：18A0630990

(001)GaAs基板上にMBE成長したGaAsBi/GaAs多重量子井戸の偏光依存PL

Author (6)： HIGUCHI TOI (愛媛大) ,  TSUKAMOTO AKIRA (愛媛大) ,  ITO EIGO (愛媛大) ,  TANAKA SABURO (愛媛大) ,  ISHIKAWA FUMITARO (愛媛大) ,  SHIMOMURA SATOSHI (愛媛大)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 65th  Page： ROMBUNNO.17p-F214-11  Publication year： Mar. 05, 2018 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *photoluminescence ,  multilayer film ,  semiconductor thin film ,  MBE growth ,  emission spectrum ,  polarized light ,  *gallium arsenide ,  *multiple quantum well ,  crystal orientation ,  substrate (plate) ,  bismuth compound ,  radiant intensity ,  emission intensity ,  polarization dependence ,  gallium arsenide substrate
Semi thesaurus term： GaAs substrate

JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  GaAsBi ,  GaAs ,  多重量子井戸 ,  偏光 ,  PL