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J-GLOBAL ID：201802299167017105   Reference number：18A0932009

Measurement of polarization dependence of two-photon absorption coefficient in InP using extended Z-scan technique for thick materials

厚い材料のための拡張Z走査法を用いたInPの二光子吸収係数の偏光依存性の測定

Author (6)： OISHI Masaki (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  SHINOZAKI Tomohisa (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  HARA Hikaru (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  YAMAMOTO Kazunuki (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  MATSUSUE Toshio (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  BANDO Hiroyuki (Chiba Univ., Chiba, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 3  Page： 030306.1-030306.4  Publication year： Mar. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium phosphide ,  semiconductor material ,  compound semiconductor ,  *two-photon absorption ,  absorption coefficient ,  optical measurement ,  *polarized light ,  spatial distribution ,  nonlinear susceptibility ,  Z scan method ,  *polarization dependence

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (12)：

• D. Vignaud, J. Lampin, and F. Mollot, Appl. Phys. Lett. 85, 239 (2004).
• H. Bando, T. Matsusue, T. Okuno, and Y. Masumoto, 14th Int. Conf. MBE, 2006, p. 198.
• M. D. Dvorak, W. A. Schroeder, and D. R. Andersen, IEEE J. Quantum Electron. 30, 256 (1994).
• T. Matsusue, H. Bando, S. Fujita, and Y. Takayama, Phys. Status Solidi C 8, 387 (2011).
• M. Sheik-Bahae, A. A. Said, T. H. Wei, D. J. Hagan, and E. W. V. Stryland, IEEE J. Quantum Electron. 26, 760 (1990).

Terms in the title (6)： 拡張 ,  Z走査法 ,  InP ,  二光子 ,  吸収係数 ,  偏光依存性