Pat
J-GLOBAL ID：201803000014589614
バイアスティー
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
飯塚 雄二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017094057
Publication number (International publication number)：2018191222
Application date： May. 10, 2017
Publication date： Nov. 29, 2018
Summary：
【課題】高い周波数での特性に優れ、且つ、チップキャパシタの耐衝撃性に優れたバイアスティーを提供すること。【解決手段】本発明は、伝送路に同軸構造を採用したバイアスティーにおいて、チップキャパシタと;前記チップキャパシタを挟んで同軸上で連結される第1及び第2の中心導体と;前記チップキャパシタと前記第1の中心導体との間及び、前記チップキャパシタと前記第2の中心導体との間に設けられた緩衝構造部とを備えた構造を採用する。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
伝送路に同軸構造を採用したバイアスティーにおいて、
チップキャパシタと;
前記チップキャパシタを挟んで同軸上で連結される第1及び第2の中心導体と;
前記チップキャパシタと前記第1の中心導体との間及び、前記チップキャパシタと前記第2の中心導体との間に設けられた緩衝構造部とを備えたことを特徴とするバイアスティー。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (1)：
Return to Previous Page
