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J-GLOBAL ID：201803000770148672

光触媒薄膜電極の製造方法

Inventor： 井上 泰宣 ,  三島 有二 ,  西前 真治 ,  巽 孝夫 ,  堂免 一成 ,  片山 正士 ,  西山 洋 ,  佐々木 豊
Applicant, Patent owner： 国際石油開発帝石株式会社 ,  人工光合成化学プロセス技術研究組合 ,  国立大学法人 東京大学
Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  清水 義憲 ,  平野 裕之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016154862
Publication number (International publication number)：2018020302
Application date： Aug. 05, 2016
Publication date： Feb. 08, 2018
Summary：

【課題】酸窒化物を用いた光触媒薄膜電極の新たな製造方法を提供すること【解決手段】金属基板上に、金属ナイトライド層、並びにアルカリ土類金属、ランタノイド金属及びそれらの塩からなる群より選択される少なくとも一種を含む層、をこの順に形成して前駆積層体を得る工程と、前駆積層体を不活性雰囲気中で加熱してオキシナイトライド層を備える積層体を得る工程と、を備える、光触媒薄膜電極の製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

金属基板上に、金属ナイトライド層、並びにアルカリ土類金属、ランタノイド金属及びそれらの塩からなる群より選択される少なくとも一種を含む層、をこの順に形成して前駆積層体を得る工程と、 前記前駆積層体を不活性雰囲気中で加熱してオキシナイトライド層を備える積層体を得る工程と、 を備える、光触媒薄膜電極の製造方法。

IPC (6)：

B01J 37/02 ,  B01J 37/08 ,  B01J 35/02 ,  B01J 27/24 ,  C01B 3/04 ,  C01B 13/02

FI (7)：

B01J37/02 301P ,  B01J37/08 ,  B01J35/02 J ,  B01J27/24 M ,  C01B3/04 A ,  C01B13/02 B ,  B01J37/02 301J

F-Term (56)：

4G042BA07 ,  4G042BA08 ,  4G042BA11 ,  4G042BB04 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169AA09 ,  4G169BA17 ,  4G169BA48A ,  4G169BB08C ,  4G169BB11A ,  4G169BB20A ,  4G169BB20B ,  4G169BC08A ,  4G169BC12A ,  4G169BC13A ,  4G169BC13B ,  4G169BC16A ,  4G169BC31A ,  4G169BC33A ,  4G169BC41A ,  4G169BC42A ,  4G169BC50A ,  4G169BC55A ,  4G169BC56A ,  4G169BC56B ,  4G169BC59A ,  4G169BC60A ,  4G169BC66A ,  4G169BC67B ,  4G169BC68A ,  4G169BC72A ,  4G169BC75A ,  4G169BD01C ,  4G169BD02A ,  4G169BD06A ,  4G169BD15C ,  4G169CC33 ,  4G169DA06 ,  4G169EA08 ,  4G169EB15Y ,  4G169EE06 ,  4G169FA01 ,  4G169FA03 ,  4G169FB02 ,  4G169FB21 ,  4G169FB29 ,  4G169FB40 ,  4G169FC02 ,  4G169HA02 ,  4G169HA13 ,  4G169HB10 ,  4G169HC02 ,  4G169HD13 ,  4G169HD23 ,  4G169HE09