多波長光源装置および多波長光源システム

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人サンクレスト国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013192156
Publication number (International publication number)：2015060880
Patent number：6274488
Application date： Sep. 17, 2013
Publication date： Mar. 30, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】活性層と中間層を有する積層構造体を備え、前記積層構造体は、2次元フォトニック結晶を構成する第1フォトニック結晶領域と、幅方向における両側に前記第1フォトニック結晶領域が隣接し前記フォトニック結晶領域を伝播できない第1波長帯域の光の一部の第2波長帯域の光が伝播可能な複数の第1導波路領域と、前記複数の第1導波路領域において伝播する光を伝播可能な光伝送部と、を有し、前記活性層における、光学遷移可能な電子準位間のエネルギ差に相当する光の波長が、第2波長帯域の高状態密度波長帯域に含まれ、前記複数の第1導波路領域は、並列に設けられており、一つの第1導波路領域と他の第1導波路領域とを含む、少なくとも2つの第1導波路領域を備え、前記光伝送部は、 2次元フォトニック結晶を構成する第2フォトニック結晶領域と、幅方向における両側に前記第2フォトニック結晶領域が隣接し前記第2フォトニック結晶領域を伝播できない第3波長帯域の光の一部の第4波長帯域の光が伝播可能な第2導波路領域と、を有し、前記第2導波路領域には、並列に設けられた前記複数の第1導波路領域が接続され、前記複数の第1導波路領域それぞれにおける前記高状態密度波長帯域の中心波長が、前記第4波長帯域に含まれ、前記他の第1導波路領域における前記高状態密度波長帯域の中心波長は、前記一つの第1導波路領域における前記高状態密度波長帯域の中心波長よりも、前記第4波長帯域内において長波長側にあり、前記他の第1導波路領域における前記第2波長帯域の短波長側端は、前記一つの第1導波路領域における前記第2波長帯域の短波長側端よりも、前記第4波長帯域内において長波長側にある多波長光源装置。

IPC (2)：

H01S 5/20 ( 200 6.01) , H01S 5/343 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01S 5/20 , H01S 5/343

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

光デバイスとその製造方法および半導体レーザ発振器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-195578 Applicant：三菱電機株式会社, 国立大学法人京都大学
光デバイスおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-330669 Applicant：セイコーエプソン株式会社

Cited by examiner (2)

光デバイスとその製造方法および半導体レーザ発振器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-195578 Applicant：三菱電機株式会社, 国立大学法人京都大学
光デバイスおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-330669 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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