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J-GLOBAL ID:201803002536595030
ホウ化鉄材料の製造方法、及びホウ化鉄薄膜材料
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
山野 宏
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2017073801
Patent number:6294533
Application date: Apr. 03, 2017
Summary:
【課題】高飽和磁化を有するホウ化鉄材料の製造方法、及び高飽和磁化を有するホウ化鉄薄膜材料を提供する。
【解決手段】5原子%以上15原子%未満のホウ素を含む非晶質のホウ化鉄からなる母材を準備する準備工程と、前記母材の表面の少なくとも一部に、タンタルを含む被膜を形成して被覆部材を得る被覆工程と、前記被覆部材に、タンタルと反応しない雰囲気中又は減圧雰囲気中、200°C以上300°C未満の温度で熱処理を施し、前記母材中のホウ素の一部を前記被膜に拡散させて結晶質のホウ化鉄材料を得る熱処理工程とを備えるホウ化鉄材料の製造方法。
【選択図】なし
Claim (excerpt):
【請求項1】 5原子%以上15原子%未満のホウ素を含む非晶質のホウ化鉄からなり、平均厚さが10nm以上500nm以下の母材を準備する準備工程と、
前記母材の表面の少なくとも一部に、タンタルからなる被膜を形成して被覆部材を得る被覆工程と、
前記被覆部材に、タンタルと反応しない雰囲気中又は減圧雰囲気中、200°C以上300°C未満の温度で熱処理を施し、前記母材中のホウ素の一部を前記被膜に拡散させ、前記母材のホウ化鉄を鉄の結晶格子間にホウ素が侵入した侵入型のホウ化鉄とし、純鉄よりも飽和磁化が大きい結晶質のホウ化鉄材料を得る熱処理工程とを備え、
前記被覆工程では、前記母材のホウ化鉄中のホウ素の原子比率をα原子%とし、前記母材1m2中のホウ素の原子数をNとするとき、以下の(A)又は(B)のいずれかを満たすように、前記被膜1m2中のタンタルの原子数を選択するホウ化鉄材料の製造方法。
(A)α≦11原子%の場合
0.2×(N/2)以上、[(α-3)/α]×(N/2)以下
(B)α>11原子%の場合
[(α-11)/α]×(N/2)以上、[(α-3)/α]×(N/2)以下
IPC (7):
C21D 6/00 ( 200 6.01)
, H01F 1/153 ( 200 6.01)
, C22C 38/00 ( 200 6.01)
, H01F 10/14 ( 200 6.01)
, C23C 14/14 ( 200 6.01)
, C23C 14/58 ( 200 6.01)
, C23C 10/28 ( 200 6.01)
FI (7):
C21D 6/00 C
, H01F 1/153
, C22C 38/00 303 S
, H01F 10/14
, C23C 14/14 D
, C23C 14/58 A
, C23C 10/28
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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耐蝕性に優れた超微細結晶粒組織を有する合金
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-235467
Applicant:日立金属株式会社
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特開昭62-188745
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磁束密度が高く、絶縁被膜処理性に優れた低鉄損鉄系非晶質合金
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-052271
Applicant:川崎製鉄株式会社
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特開平2-133517
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Cited by examiner (4)