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J-GLOBAL ID:201803003146625155

電子スピン制御方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2014107791
Publication number (International publication number):2015225870
Patent number:6222737
Application date: May. 26, 2014
Publication date: Dec. 14, 2015
Claim (excerpt):
【請求項1】 半導体からなる量子井戸層を備える量子井戸構造の制御領域に、選択的に円偏光した励起光を照射して、制御領域に選択的に電子スピンを生成する励起光照射ステップと、 前記量子井戸層の平面方向への磁場を前記量子井戸層の制御領域に印加して、前記制御領域に生成した前記電子スピンを歳差運動させる磁場印加ステップと、 前記励起光の強度を制御することで前記電子スピンの歳差運動を制御する制御ステップと を備えることを特徴とする電子スピン制御方法。
IPC (1):
H01L 29/82 ( 200 6.01)
FI (1):
H01L 29/82 Z
Patent cited by the Patent:
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