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J-GLOBAL ID：201803004677560666

単結晶、放射線検出器及び放射線検出器の使用方法

Inventor： 石橋 浩之 ,  志村 直明 ,  金子 純一 ,  坪田 陽一 ,  樋口 幹雄 ,  西山 修輔
Applicant, Patent owner： 株式会社オキサイド ,  国立大学法人北海道大学
Agent (3)： 長谷川 芳樹 ,  清水 義憲 ,  古下 智也
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014029357
Publication number (International publication number)：2015151535
Patent number：6303146
Application date： Feb. 19, 2014
Publication date： Aug. 24, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 下記一般式(1)で表され、厚みが10mmのときの、波長400nmの光に対する厚み方向の透過率が50%以上である、単結晶。 (A1-xBx)2Si2O7 (1) [式(1)中、AはY、La及びGdからなる群より選択される少なくとも1種であり、BはY、La及びGdを除く希土類元素からなる群より選択される少なくとも1種であり、xは0.005 IPC (5)：

C09K 11/79 ( 200 6.01) ,  C09K 11/00 ( 200 6.01) ,  G01T 1/20 ( 200 6.01) ,  G01T 1/202 ( 200 6.01) ,  C30B 29/22 ( 200 6.01)

FI (5)：

C09K 11/79 ,  C09K 11/00 E ,  G01T 1/20 B ,  G01T 1/202 ,  C30B 29/22 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 単結晶の熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-251161   Applicant：日立化成工業株式会社
• 透光性酸化ルテチウムアルミニウムガーネット焼結体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-271804   Applicant：コバレントマテリアル株式会社
• GSO単結晶及びPET用シンチレータ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-027893   Applicant：日立化成工業株式会社, 独立行政法人放射線医学総合研究所
• 特開昭60-096092
  
• 特開昭50-090598
  
• 蛍光体組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-278702   Applicant：日立化成工業株式会社
• 単結晶シンチレーター
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-050385   Applicant：日立化成工業株式会社, 国立大学法人北海道大学

Cited by examiner (7)

• 単結晶の熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-251161   Applicant：日立化成工業株式会社
• 透光性酸化ルテチウムアルミニウムガーネット焼結体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-271804   Applicant：コバレントマテリアル株式会社
• GSO単結晶及びPET用シンチレータ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-027893   Applicant：日立化成工業株式会社, 独立行政法人放射線医学総合研究所
• 特開昭60-096092
  
• 特開昭50-090598
  
• 蛍光体組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-278702   Applicant：日立化成工業株式会社
• 単結晶シンチレーター
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-050385   Applicant：日立化成工業株式会社, 国立大学法人北海道大学

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• Growth of bulk gadolinium pyrosilicate single crystals for scintillators
• Fast and high-energy-resolution oxide scintillator. Ce-doped (La,Gd)2Si2O7

Cited by examiner (3)

• Fast and high-energy-resolution oxide scintillator. Ce-doped (La,Gd)2Si2O7
• Growth of bulk gadolinium pyrosilicate single crystals for scintillators
• Growth of bulk gadolinium pyrosilicate single crystals for scintillators