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J-GLOBAL ID：201803006224931500

中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法

Inventor： 中野 貴之 ,  秩父 重英 ,  小島 一信
Applicant, Patent owner： 国立大学法人静岡大学 ,  国立大学法人東北大学
Agent (2)： 長谷川 芳樹 ,  諏澤 勇司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017068686
Publication number (International publication number)：2018169355
Application date： Mar. 30, 2017
Publication date： Nov. 01, 2018
Summary：

【課題】中性子の検出効率を向上させることができる中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法を提供する。【解決手段】中性子半導体検出構造10は、サファイア基板11及びGaNバッファー層12を有する基板と、基板上に形成され、入射した中性子nを捕捉する中性子検出部40と、を備えている。中性子検出部40は、窒化ガリウム(GaN)を含有するGaN体41と、窒化ホウ素(BN)及び窒化ボロンガリウム(BGaN)のうちの少なくとも一方を含有する複数のB含有体42と、を有している。各B含有体42は、GaN体41に埋設されている。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

基板と、 前記基板上に形成され、入射した中性子を捕捉する中性子検出部と、を備え、 前記中性子検出部は、 窒化ガリウム(GaN)を含有するGaN体と、 窒化ホウ素(BN)及び窒化ボロンガリウム(BGaN)のうちの少なくとも一方を含有する複数のB含有体と、を有し、 複数の前記B含有体のそれぞれは、前記GaN体に埋設されている、中性子半導体検出構造。

IPC (1)：

G01T 3/08

FI (1)：

G01T3/08

F-Term (6)：

2G188BB09 ,  2G188CC29 ,  2G188CC31 ,  2G188CC36 ,  2G188DD42 ,  2G188DD44