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J-GLOBAL ID：201803008424997621

グラフェン化合物及びその製造方法、蓄電装置

Inventor： 門間 裕史 ,  小國 哲平 ,  瀬尾 哲史
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017134414
Publication number (International publication number)：2018016539
Application date： Jul. 10, 2017
Publication date： Feb. 01, 2018
Summary：

【課題】広い温度範囲で使用できる材料、およびその製造方法を提供する。【解決手段】置換または無置換の鎖状の基を有し、鎖状の基はエステル基又はカルボキシル基を1以上有し、鎖状の基はSi原子を有し、鎖状の基はSi原子を介してグラフェン層と結合されたグラフェン化合物。または、酸化グラフェンと、ルイス塩基とを、撹拌し、1以上のエステル基又はカルボキシル基を有するケイ素化合物を混合して撹拌し、ルイス塩基は、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、または、ピリジンである、グラフェン化合物の製造方法。【選択図】図9

Claim (excerpt)：

置換または無置換の鎖状の基及びグラフェン層を有し、 前記鎖状の基はエステル基又はカルボキシル基を1以上有し、 前記鎖状の基はSi原子を有し、 前記鎖状の基が前記Si原子を介して前記グラフェン層と結合されたグラフェン化合物。

IPC (4)：

C01B 32/194 ,  H01M 10/056 ,  C07F 7/18 ,  C01B 32/198

FI (5)：

C01B32/194 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/056 ,  C07F7/18 J ,  C01B32/198

F-Term (49)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC11B ,  4G146AC16B ,  4G146AC17B ,  4G146AD08 ,  4G146AD15 ,  4G146AD17 ,  4G146AD21 ,  4G146AD22 ,  4G146AD25 ,  4G146BA01 ,  4G146CB10 ,  4G146CB13 ,  4G146CB19 ,  4G146CB22 ,  4G146CB35 ,  4G146CB38 ,  4G146CB39 ,  4H049VN01 ,  4H049VP11 ,  4H049VQ29 ,  4H049VR21 ,  4H049VR43 ,  4H049VS29 ,  4H049VT48 ,  4H049VU25 ,  4H049VV02 ,  4H049VW02 ,  5H029AJ02 ,  5H029AK01 ,  5H029AK02 ,  5H029AK03 ,  5H029AL01 ,  5H029AL02 ,  5H029AL03 ,  5H029AL04 ,  5H029AL06 ,  5H029AL07 ,  5H029AL08 ,  5H029AL11 ,  5H029AM07 ,  5H029AM12 ,  5H029AM16 ,  5H029BJ04 ,  5H029BJ12 ,  5H029CJ08 ,  5H029CJ12 ,  5H029HJ02