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J-GLOBAL ID：201803009075603757

真空チャネルトランジスタおよびその製造方法

Inventor： 横川 俊哉 ,  真田 篤志
Applicant, Patent owner： 国立大学法人山口大学
Agent (3)： 富崎 元成 ,  円城寺 貞夫 ,  町田 光信
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2016064390
Publication number (International publication number)：WO2016182080
Application date： May. 13, 2016
Publication date： Nov. 17, 2016
Summary：

窒化ガリウム-窒化アルミニウム混晶半導体を使用した真空チャネルトランジスタにおいて、電子放出の効率を向上させ、電子放出のためのしきい電圧を低下させた真空チャネルトランジスタを提供する。 ゲート電極をなす導体基板11と、前記導体基板の上に形成された絶縁体からなる絶縁層12と、前記絶縁層の上に形成されたソース電極131と、前記絶縁層の上に形成され、前記ソース電極と対向するように設けられたドレイン電極132とを有する。そして、前記ソース電極は、窒化ガリウム-窒化アルミニウム混晶半導体のウルツ鉱型構造の結晶からなるものであり、電子の主要な放出方向と結晶構造のc軸方向とのなす角度が30度以下となるように配置されたものである。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム-窒化アルミニウム混晶半導体のウルツ鉱型構造の結晶からなる電極(13)を有し、 前記電極(131)は、電子の主要な放出方向と結晶構造のc軸方向とのなす角度が30度以下となるように配置されたものである半導体素子。

IPC (8)：

H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/786 ,  H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 21/10 ,  H01J 9/14

FI (11)：

H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/66 E ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 622 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02 B ,  H01J21/10 ,  H01J9/14 A

F-Term (40)：

4M104BB01 ,  4M104BB36 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  5C227AA06 ,  5C227AA08 ,  5C227AB08 ,  5C227AC13 ,  5C227AC16 ,  5C227GG03 ,  5C227GG18 ,  5C227GG20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA08 ,  5F110AA09 ,  5F110BB13 ,  5F110BB20 ,  5F110CC03 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG28 ,  5F110GG60 ,  5F110HK11 ,  5F110HK13 ,  5F110HK17 ,  5F110HK18 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK34 ,  5F110HK42 ,  5F110HK50 ,  5F110HM04 ,  5F110HM05 ,  5F110HM17 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ30