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J-GLOBAL ID：201803009276635428

ギ酸生成デバイスの作成方法、ギ酸生成デバイス及びギ酸生成装置

Inventor： 森 和彦 ,  西河 洋一 ,  渡部 歩 ,  坂部 友祐 ,  天尾 豊
Applicant, Patent owner： 飯田グループホールディングス株式会社 ,  公立大学法人大阪市立大学
Agent (3)： 小池 晃 ,  伊賀 誠司 ,  河野 貴明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017011565
Publication number (International publication number)：2018117576
Application date： Jan. 25, 2017
Publication date： Aug. 02, 2018
Summary：

【課題】人工光合成において色素分子の励起エネルギーを奪うことなく、メチルビオローゲンへの電子移動を達成することができ、効率的に水素源をギ酸に変換して貯蔵することができるギ酸生成デバイスの作成方法、ギ酸生成デバイス及びギ酸生成装置を提供する。【解決手段】水素イオン、電子、及び二酸化炭素から人工光合成によりギ酸を生成するためのギ酸生成デバイスの作成方法であって、酸化アルミニウム微粒子と高分子ビーズの混合液を基板に塗布する塗布工程S1と、基板を乾燥させる乾燥工程S2と、基板を加熱して高分子ビーズを焼失させ、該基板の表面に酸化アルミニウム微粒子による多孔質層を形成する加熱処理工程S3と、基板の表面の多孔質層に色素、メチルビオローゲン、及びギ酸脱水素酵素を担持させる担持工程S4とを有する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

水素イオン、電子、及び二酸化炭素から人工光合成によりギ酸を生成するためのギ酸生成デバイスの作成方法であって、 酸化アルミニウム微粒子と高分子ビーズの混合液を基板に塗布する塗布工程と、 前記基板を乾燥させる乾燥工程と、 前記基板を加熱して高分子ビーズを焼失させ、該基板の表面に酸化アルミニウム微粒子による多孔質層を形成する加熱処理工程と、 前記基板の表面の前記多孔質層に色素、メチルビオローゲン、及びギ酸脱水素酵素を担持させる担持工程と を有するギ酸生成デバイスの作成方法。

IPC (1)：

C12M 1/40

FI (1)：

C12M1/40 A

F-Term (4)：

4B029AA21 ,  4B029BB16 ,  4B029BB20 ,  4B029CC10