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J-GLOBAL ID：201803009420433339

中性子半導体検出器

Inventor： 中野 貴之 ,  青木 徹 ,  井上 翼 ,  小池 昭史
Applicant, Patent owner： 国立大学法人静岡大学 ,  株式会社ANSeeN
Agent (2)： 長谷川 芳樹 ,  諏澤 勇司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017037321
Publication number (International publication number)：2018141749
Application date： Feb. 28, 2017
Publication date： Sep. 13, 2018
Summary：

【課題】中性子の入射位置を特定可能としつつ、中性子の検出効率を向上させることができる中性子半導体検出器を提供する。【解決手段】中性子半導体検出器1は、サファイア基板11及び当該サファイア基板11上に形成されたGaNバッファー層12と、GaNバッファー層12上に形成されたP型半導体の窒化ガリウム(GaN)を含むP層13と、P層13上に形成され、GaNとホウ素(B)とを混晶させた真性半導体のBGaNを含むI層14と、I層14上に形成されたN型半導体のGaNを含むN層15と、P層13に電気的に接続された第1電極21と、N層15に電気的に接続され、N層15上に配列された複数の第2電極22と、を備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、 前記基板上に形成されたP型半導体の窒化ガリウム(GaN)を含むP層と、 前記P層上に形成され、GaNとホウ素(B)とを混晶させた真性半導体のBGaNを含むI層と、 前記I層上に形成されたN型半導体のGaNを含むN層と、 前記P層に電気的に接続された第1電極と、 前記N層に電気的に接続され、前記N層上に配列された複数の第2電極と、を備える、中性子半導体検出器。

IPC (3)：

G01T 3/08 ,  G01T 1/24 ,  G01T 1/29

FI (3)：

G01T3/08 ,  G01T1/24 ,  G01T1/29 C

F-Term (7)：

2G188BB09 ,  2G188BB14 ,  2G188CC29 ,  2G188CC32 ,  2G188CC36 ,  2G188DD05 ,  2G188DD34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 放射線検出素子、及び、放射線検出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-120963   Applicant：佐々木雄久

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• DEVELOPMENT OF WIDE BANDGAP SOLID-STATE NEUTRON DETECTORS