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J-GLOBAL ID:201803010162243234
誘電体薄膜
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2014171406
Publication number (International publication number):2016044350
Patent number:6308554
Application date: Aug. 26, 2014
Publication date: Apr. 04, 2016
Claim (excerpt):
【請求項1】 Biを含む誘電体層とBiの拡散を抑止する元素を含むバリア層とを交互積層した誘電体薄膜。
IPC (4):
C23C 14/08 ( 200 6.01)
, H01B 3/12 ( 200 6.01)
, H01G 4/33 ( 200 6.01)
, H01G 4/12 ( 200 6.01)
FI (6):
C23C 14/08 K
, H01B 3/12 303
, H01B 3/12 318 Z
, H01G 4/06 102
, H01G 4/12 397
, H01G 4/12 394
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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金属酸化物セラミックからの移動性種の減少した拡散
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-590226
Applicant:インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
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Bi層状強誘電体薄膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-281531
Applicant:日本電気株式会社, シンメトリクスコーポレーション
-
セラミックス材料、及びキャパシタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2009-159705
Applicant:株式会社デンソー, 国立大学法人東京大学
-
積層体ユニットおよび薄膜容量素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-253616
Applicant:TDK株式会社
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複合電子部品
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-225010
Applicant:TDK株式会社
-
圧電セラミックス及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-075670
Applicant:株式会社豊田中央研究所
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