MIS型半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017079420
Publication number (International publication number)：2018182058
Application date： Apr. 13, 2017
Publication date： Nov. 15, 2018
Summary：

【課題】絶縁膜の誘電率が高く、絶縁膜の水素透過率が低く、かつ半導体界面上の非所望の酸化層の生成が少ないMIS型半導体装置を提供する。【解決手段】半導体層1とバッファ層2と絶縁体層3と導電体層4を有し、絶縁体層が半導体層と導電体層で挟まれたMIS(Metal-Insulator-Semiconductor)型半導体構造101を有するMIS型半導体装置である。絶縁体層は、セリウムフッ化物CeF2を含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたMIS型半導体装置であって、前記絶縁体層はセリウムフッ化物を含む、MIS型半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/314

FI (2)：

H01L29/78 301G , H01L21/314 A

F-Term (34)：

5F058BA20 , 5F058BC20 , 5F058BJ01 , 5F140AA05 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BA10 , 5F140BA20 , 5F140BC17 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BG36 , 5F140BG40 , 5F140BG44 , 5F140BJ01 , 5F140BJ04 , 5F140BJ05 , 5F140BJ06 , 5F140BJ08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

窒化物半導体電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-270903 Applicant：富士通株式会社
ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-228654 Applicant：日本電信電話株式会社
磁石,磁石用磁性材料,コート膜形成処理液及び回転機
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-273054 Applicant：株式会社日立製作所

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