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J-GLOBAL ID：201803011539071057

グラフェンの面積測定方法及びデバイスの製造方法

Inventor： 上野 祐子 ,  小川 友以 ,  関 修平 ,  崔 旭鎮 ,  筒井 祐介 ,  櫻井 庸明 ,  酒巻 大輔 ,  竹内 友宏 ,  西山 颯
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社 ,  国立大学法人京都大学
Agent (1)： 特許業務法人 志賀国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017103007
Publication number (International publication number)：2018197721
Application date： May. 24, 2017
Publication date： Dec. 13, 2018
Summary：

【課題】ミリメートルスケールを超えるサイズのデバイスにおけるグラフェンの被覆面積を種々の固体基板上において短時間で直接的に定量する方法を提供する。【解決手段】絶縁体基板上に基準グラフェン膜が被覆された試験片を、基準グラフェン膜の面積を異ならせて複数用意する工程と、空洞共振器摂動法により、入射するマイクロ波の周波数と、マイクロ波の反射波の反射強度又は透過波の透過強度との対応関係である共振曲線を求め、共振曲線のピーク値である共振周波数f0と、共振曲線の半値幅Δfとから、式Q=f0/ΔfによりQ値を求める工程と、Q値の逆数と基準グラフェン膜の面積との対応関係を求める工程と、絶縁体基板上にグラフェン膜が形成された測定対象物について、共振曲線を求め、Q値を求める工程と、対応関係に基づいて、測定対象物が備えるグラフェン膜の面積を求める工程と、を有する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

絶縁体基板上に基準グラフェン膜が被覆された試験片を、前記基準グラフェン膜の面積を異ならせて複数用意する工程と、 複数の前記試験片のそれぞれについて、空洞共振器摂動法により、入射するマイクロ波の周波数と、前記マイクロ波の反射波の反射強度又は透過波の透過強度との対応関係である共振曲線を求め、前記共振曲線のピーク値である共振周波数f0と、前記共振曲線の半値幅Δfとから、下記式(1)に従ってQ値を求める工程と、 前記Q値の逆数と前記基準グラフェン膜の面積との対応関係を求める工程と、 絶縁体基板上にグラフェン膜が形成された測定対象物について、空洞共振器摂動法により前記共振曲線を求め、下記式(1)に従ってQ値を求める工程と、 前記対応関係に基づいて、前記測定対象物が備える前記グラフェン膜の面積を求める工程と、を有するグラフェンの面積測定方法。

IPC (4)：

G01B 15/00 ,  C01B 32/194 ,  B82Y 40/00 ,  B82Y 30/00

FI (4)：

G01B15/00 C ,  C01B32/194 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

F-Term (25)：

2F067AA03 ,  2F067AA57 ,  2F067BB16 ,  2F067EE10 ,  2F067HH02 ,  2F067JJ02 ,  2F067KK06 ,  2F067KK08 ,  2F067RR24 ,  2F067RR44 ,  4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC01B ,  4G146BC09 ,  4G146BC44 ,  4G146CB06 ,  4G146CB11 ,  4G146CB12 ,  4G146CB14 ,  4G146CB15 ,  4G146CB19 ,  4G146CB26 ,  4G146CB29 ,  4G146CB35 ,  4G146CB37