Pat

J-GLOBAL ID：201803012480411211

薄膜トランジスタ装置及びその製造方法

Inventor： 中村 修
Applicant, Patent owner： 凸版印刷株式会社
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014026391
Publication number (International publication number)：2015153902
Patent number：6260326
Application date： Feb. 14, 2014
Publication date： Aug. 24, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板上に設けられたゲート電極と、 前記基板の面上と前記ゲート電極の面上を覆うゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上に設けられたIn-Ga-Zn-Oから成る半導体の半導体チャンネル層と、 前記半導体チャンネル層上に設けられたチャンネル保護層と、 前記半導体チャンネル層上に電気接続して形成されたソース電極及びドレイン電極と、 前記チャンネル保護層を覆い、RがLa又はNd又はそれらの固溶すなわちR=La1-yNdyであるR1-xSrxMnO3の化学式であらわされ、Srの割合xが0.2以上0.5以下の、ペロブスカイト型酸化物のチャンネル遮光層と、 前記ソース電極及びドレイン電極の上層に設けられたパッシベーション用保護層と を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ装置。

IPC (3)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  G09F 9/30 ( 200 6.01)

FI (4)：

H01L 29/78 619 B ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 619 A ,  G09F 9/30 338

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• 光硬化性組成物及びそれを用いて黒色パターンを形成したプラズマディスプレイパネル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-292712   Applicant：太陽インキ製造株式会社
• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-245121   Applicant：株式会社東芝
• 液晶表示装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-150083   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 金属酸化物の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-160997   Applicant：株式会社日本触媒
• 電荷散逸層を備えたアンダー・ゲート電界放出トライオード
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2010-528148   Applicant：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
• 型押し構造体の製造方法、薄膜トランジスター、薄膜キャパシター、アクチュエーター、圧電式インクジェットヘッド及び光学デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-245360   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構, セイコーエプソン株式会社
• 特表平4-507230
  
• 電子放出用電極の製造方法及びその電子放出用電極を用いた発光パネル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-098964   Applicant：カシオ計算機株式会社