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J-GLOBAL ID：201803013993933902

酸化亜鉛系透明導電膜の作製方法

Inventor： 山田 容士 ,  舩木 修平 ,  オルクツ サンシャコグル ,  杉浦 怜 ,  正力 幹也
Applicant, Patent owner： 国立大学法人島根大学
Agent (1)： 田邊 義博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016182449
Publication number (International publication number)：2018044237
Application date： Sep. 18, 2016
Publication date： Mar. 22, 2018
Summary：

【課題】マグネトロンスパッタリングにより、抵抗率の不均一性が小さく、低抵抗率であって、光透過性が高い、酸化亜鉛系透明導電膜を得ること。【解決手段】 マグネトロンスパッタリングにより基板上に酸化亜鉛系透明導電膜を形成し、その上に亜鉛薄膜層を形成し、その上にマグネトロンスパッタリングにより酸化亜鉛系透明導電膜を更に形成して積層構造をなし、その後、400°C以上650°C以下の所定の温度にてアニーリングする工程を含ませることにより、高抵抗領域の偏在を抑制ないし解消することを特徴とする透明導電膜作製方法である。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板上に酸化亜鉛系透明導電膜を形成し、 その上に亜鉛薄膜層を形成し、 その上に酸化亜鉛系透明導電膜を更に形成して積層構造をなし、 その後、400°C以上650°C以下の所定の温度にてアニーリングする工程を含ませることにより、高抵抗領域の偏在を抑制ないし解消することを特徴とする透明導電膜作製方法。

IPC (2)：

C23C 14/08 ,  H01B 13/00

FI (3)：

C23C14/08 C ,  C23C14/08 N ,  H01B13/00 503B

F-Term (13)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA46 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BC09 ,  4K029DC39 ,  4K029GA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BC01

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Chemical Physics Letters, 2012, Vol.528, pp.68-71