Pat
J-GLOBAL ID：201803014207816953

シリコンチップ及びその製造方法

Inventor：
平野 愛弓

About 平野 愛弓

, 
庭野 道夫

About 庭野 道夫

, 
但木 大介

About 但木 大介


Applicant, Patent owner：
国立大学法人東北大学

About 国立大学法人東北大学


Agent (2)： 栗原 浩之 ,  山▲崎▼ 雄一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017037453
Publication number (International publication number)：2018140478
Application date： Feb. 28, 2017
Publication date： Sep. 13, 2018
Summary：
【課題】有機溶剤フリーで形成できるもので、微細孔エッジの耐久性に優れた人工脂質二分子膜形成用のシリコンチップ及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板に設けられた貫通孔11と、この貫通孔を覆うように設けられた窒化シリコン膜21と、この上に設けられた第1酸化シリコン膜22と、前記貫通孔の前記シリコン基板の内面及び前記窒化シリコン膜の前記第1酸化シリコン膜とは反対側に設けられた第2酸化シリコン膜23と、前記第1酸化シリコン膜、前記窒化シリコン膜及び前記第2酸化シリコン膜に設けられた微細孔と、を具備し、前記微細孔は、前記第2酸化シリコン膜側から前記第1酸化シリコン膜側の開口に向かって前記開口側ほど内径が漸大する形状であり、前記微細孔の内周面は、前記窒化シリコン膜の領域の内周面である第1傾斜面31aと、前記第1酸化シリコン膜の領域の内周面である第2傾斜面32aとを含み、前記第2傾斜面の膜厚方向に対して傾斜する傾きが、前記第1傾斜面の傾きより大きい。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
シリコン基板に設けられた貫通孔と、この貫通孔を覆うように設けられた窒化シリコン(Si3N4)膜と、この上に設けられた第1酸化シリコン(SiO2)膜と、前記貫通孔の前記シリコン基板の内周面及び前記窒化シリコン膜の前記第1酸化シリコン膜とは反対側に設けられた第2酸化シリコン膜と、前記第1酸化シリコン膜、前記窒化シリコン膜及び前記第2酸化シリコン膜に設けられた微細孔と、を具備し、前記微細孔は、前記第2酸化シリコン膜側から前記第1酸化シリコン膜側の開口に向かって前記開口側ほど内径が漸大する形状であり、前記微細孔の内周面は、前記窒化シリコン膜の領域の内周面である第1傾斜面と、前記第1酸化シリコン膜の領域の内周面である第2傾斜面とを含み、前記第2傾斜面の膜厚方向に対して傾斜する傾きが、前記第1傾斜面の傾きより大きいことを特徴とするシリコンチップ。
IPC (4)：
B81B 1/00 ,  B32B 3/02 ,  B32B 9/00 ,  B81C 1/00
FI (4)：
B81B1/00 ,  B32B3/02 ,  B32B9/00 A ,  B81C1/00
F-Term (28)：
3C081AA07 ,  3C081AA17 ,  3C081BA03 ,  3C081CA02 ,  3C081CA15 ,  3C081CA26 ,  3C081CA28 ,  3C081DA03 ,  3C081DA29 ,  3C081DA30 ,  3C081EA01 ,  3C081EA26 ,  4F100AA12B ,  4F100AA20C ,  4F100AA20D ,  4F100AB11A ,  4F100AK17E ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100DC11A ,  4F100DC11B ,  4F100DC11C ,  4F100DC11D ,  4F100EH46 ,  4F100EJ15 ,  4F100GB66 ,  4F100JG04E ,  4F100JG05E
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
  • 特許第6863833号
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM