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J-GLOBAL ID：201803014627908330

センサ素子

Inventor： 内田 建 ,  寺尾 潤 ,  高橋 綱己
Applicant, Patent owner： 学校法人慶應義塾 ,  国立大学法人京都大学
Agent (3)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  諏澤 勇司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016129111
Publication number (International publication number)：2018004356
Application date： Jun. 29, 2016
Publication date： Jan. 11, 2018
Summary：

【課題】寄生抵抗を低減させると共に特性ばらつきを抑制しつつ、感度を向上させる。【解決手段】センサ素子1は、導電性の支持基板2と、支持基板2上に設けられた第1絶縁層3と、第1絶縁層3上に設けられ、n型又はp型の導電型を有する半導体からなるチャネル部4と、チャネル部4に電気的に接続されたソース電極部5及びドレイン電極部6と、チャネル部4上に設けられた第2絶縁層7と、第2絶縁層7のチャネル部4とは反対側に設けられ、気体分子Mを捕捉する受容部10と、を備え、チャネル部4の幅Wは厚さZの2倍以上であり、ソース電極部5及びドレイン電極部6は、チャネル部4の半導体の導電型と同じ導電型であると共にチャネル部4と比較して不純物密度の高い半導体からなる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

気体分子を検出するセンサ素子であって、 導電性の支持基板と、 前記支持基板上に設けられた第1絶縁層と、 前記第1絶縁層上に設けられ、n型又はp型の導電型を有する半導体からなるチャネル部と、 前記チャネル部の一端に電気的に接続されたソース電極部と、 前記チャネル部の他端に電気的に接続されたドレイン電極部と、 前記チャネル部上に設けられた第2絶縁層と、 前記第2絶縁層の前記チャネル部とは反対側に設けられ、前記気体分子を捕捉する受容部と、を備え、 前記ソース電極部から前記ドレイン電極部に向かう方向において、前記チャネル部の幅は、前記チャネル部の厚さの2倍以上であり、 前記ソース電極部及び前記ドレイン電極部は、前記チャネル部の半導体の導電型と同じ導電型であると共に前記チャネル部と比較して不純物密度の高い半導体からなる、センサ素子。

IPC (2)：

G01N 27/00 ,  H01L 29/786

FI (2)：

G01N27/00 J ,  H01L29/78 617M

F-Term (36)：

2G060AA01 ,  2G060AB15 ,  2G060AE19 ,  2G060DA02 ,  2G060DA06 ,  2G060DA09 ,  2G060DA12 ,  2G060DA27 ,  2G060JA01 ,  2G060KA01 ,  5F110AA03 ,  5F110BB09 ,  5F110BB13 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL27 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN37 ,  5F110NN71