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J-GLOBAL ID：201803015851041225

気相成長装置および気相成長法

Inventor： 永松 謙太郎 ,  本田 善央 ,  天野 浩
Applicant, Patent owner： 国立大学法人名古屋大学
Agent (1)： 特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017030243
Publication number (International publication number)：2018135235
Application date： Feb. 21, 2017
Publication date： Aug. 30, 2018
Summary：

【課題】GaN層の気相成長装置および気相成長法に関する技術を提供すること。【解決手段】気相成長装置は、ガリウムを含む有機金属を含んだ第1原料ガスと、塩化水素を含んだ第2原料ガスとが供給される加熱容器であって、第1原料ガスと第2原料ガスとの混合ガスを所定温度に加熱して反応させることでガリウムと塩素の化合物を含んだ第3原料ガスを排出することが可能な加熱容器を備える。加熱容器から排出された第3原料ガスと、アンモニアを含んだ第4原料ガスとが供給される反応容器であって、ウェハが内部に配置されている反応容器を備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ガリウムを含む有機金属を含んだ第1原料ガスと、塩化水素を含んだ第2原料ガスとが供給される加熱容器であって、前記第1原料ガスと前記第2原料ガスとの混合ガスを所定温度に加熱して反応させることでガリウムと塩素の化合物を含んだ第3原料ガスを排出することが可能な前記加熱容器と、 前記加熱容器から排出された前記第3原料ガスと、アンモニアを含んだ第4原料ガスとが供給される反応容器であって、ウェハが内部に配置されている前記反応容器と、 を備える気相成長装置。

IPC (5)：

C30B 25/14 ,  C30B 29/38 ,  C23C 16/448 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (5)：

C30B25/14 ,  C30B29/38 D ,  C23C16/448 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

F-Term (52)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077DB11 ,  4G077DB15 ,  4G077EG11 ,  4G077EG15 ,  4G077EG16 ,  4G077EG22 ,  4G077EG27 ,  4G077EG30 ,  4G077EH06 ,  4G077EH10 ,  4G077TA04 ,  4G077TA08 ,  4G077TA11 ,  4G077TB04 ,  4G077TH01 ,  4G077TH13 ,  4G077TJ05 ,  4G077TJ15 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA15 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030KA23 ,  4K030KA39 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AD01 ,  5F045BB08 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE07 ,  5F045EE12 ,  5F045EK07 ,  5F045GB07