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J-GLOBAL ID：201803016411728969

III族窒化物半導体成長用テンプレート

Inventor： 笘井 重和
Applicant, Patent owner： 出光興産株式会社
Agent (1)： 特許業務法人平和国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017067564
Publication number (International publication number)：2018168029
Application date： Mar. 30, 2017
Publication date： Nov. 01, 2018
Summary：

【課題】結晶転位密度が少ないIII族窒化物半導体を成長させることができるIII族窒化物半導体成長用テンプレートを提供する。【解決手段】支持基板と、複数の開口部を有するマスクパターンである絶縁膜とをこの順に含む積層体からなるIII族窒化物半導体成長用テンプレートであって、前記絶縁膜がGa2O3を主成分として含むIII族窒化物半導体成長用テンプレート。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

支持基板と、複数の開口部を有するマスクパターンである絶縁膜とをこの順に含む積層体からなるIII族窒化物半導体成長用テンプレートであって、 前記絶縁膜がGa2O3を主成分として含むIII族窒化物半導体成長用テンプレート。

IPC (2)：

C30B 29/38 ,  H01L 29/786

FI (3)：

C30B29/38 D ,  C30B29/38 C ,  H01L29/78 618B

F-Term (27)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TC14 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  5F110AA30 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD17 ,  5F110GG01 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44