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J-GLOBAL ID：201803016550258136

磁気抵抗素子および記憶回路

Inventor： 菅原 聡 ,  高村 陽太 ,  中川 茂樹
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人科学技術振興機構
Agent (1)： 片山 修平
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2016065964
Publication number (International publication number)：WO2016194886
Application date： May. 31, 2016
Publication date： Dec. 08, 2016
Summary：

磁歪材料を含む磁歪層11を備えたフリー層10と、第1強磁性体層16を備えるピン層18と、前記ピン層と前記フリー層との間に設けられた薄膜と、前記フリー層と前記ピン層との積層方向に交差する方向から前記磁歪層の少なくとも一部を囲むように設けられ、前記磁歪層に圧力を加える圧電体22と、前記フリー層に印加される電圧および前記ピン層に印加される電圧と異なる電圧を印加可能であって、前記圧電体が前記磁歪層に圧力を加えるように前記圧電体に電圧を印加する電極24と、を具備する磁気抵抗素子。

Claim (excerpt)：

磁歪材料を含む磁歪層を備えたフリー層と、 第1強磁性体層を備えるピン層と、 前記ピン層と前記フリー層との間に設けられた薄膜と、 前記フリー層と前記ピン層との積層方向に交差する方向から前記磁歪層の少なくとも一部を囲むように設けられ、前記磁歪層に圧力を加える圧電体と、 前記フリー層に印加される電圧および前記ピン層に印加される電圧と異なる電圧を印加可能であって、前記圧電体が前記磁歪層に圧力を加えるように前記圧電体に電圧を印加する電極と、 を具備することを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (7)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 41/09 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/11

FI (6)：

H01L43/08 Z ,  H01L27/105 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L41/09 ,  H01L27/105 441 ,  H01L27/11

F-Term (58)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119CC08 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD17 ,  4M119DD22 ,  4M119DD24 ,  4M119DD26 ,  4M119DD31 ,  4M119DD33 ,  4M119DD34 ,  4M119DD35 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119FF19 ,  4M119KK10 ,  5F083BS49 ,  5F083BS50 ,  5F083JA31 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083NA01 ,  5F083ZA19 ,  5F092AA01 ,  5F092AB07 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD24 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB31 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB45 ,  5F092BB55 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC42 ,  5F092GA03