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J-GLOBAL ID：201803017346418392

光デバイス及び光デバイスの製造方法

Inventor： 尾崎 信彦 ,  兼平 真吾 ,  林 佑真
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 和歌山大学
Agent (1)： 特許業務法人サンクレスト国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017002562
Publication number (International publication number)：2018113324
Application date： Jan. 11, 2017
Publication date： Jul. 19, 2018
Summary：

【課題】新規な広帯域化を達成する光デバイスの量子構造を提供する。【解決手段】光デバイスは、半導体薄膜13を備え、半導体薄膜13は、平均膜厚が臨界膜厚未満であり、3次元構造の界面15を有する。半導体薄膜の界面を、量子井戸のように2次元構造ではなく、3次元構造とすることで、薄膜の膜厚が面内でばらつきをもって分布するため、発光波長又は吸収波長が分布し、広帯域化する。また、本発明による光デバイスの製造方法は、基板上に基板とは格子定数が異なる結晶構造を有する半導体薄膜を成長させる成長工程を含む。半導体薄膜が基板とは格子定数が異なることによる歪によって、半導体薄膜の界面に3次元構造が成長する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体薄膜を備え、前記半導体薄膜は、平均膜厚が臨界膜厚未満であり、3次元構造の界面を有する 光デバイス。

IPC (3)：

H01L 33/06 ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L33/06 ,  H01S5/343 ,  H01L21/205

F-Term (17)：

5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AD09 ,  5F045AF05 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA70 ,  5F173AF09 ,  5F173AH03 ,  5F173AP09 ,  5F241AA14 ,  5F241CA05 ,  5F241CA35 ,  5F241CA66 ,  5F241CB36 ,  5F241FF16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

• 半導体光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-201768   Applicant：富士通株式会社
• 半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-245139   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 量子ドットの形成方法及び半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-111455   Applicant：株式会社国際電気通信基礎技術研究所
• 半導体発光素子、その製造方法およびその半導体発光素子を用いた半導体レーザジャイロ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-205235   Applicant：株式会社国際電気通信基礎技術研究所
• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-205293   Applicant：防衛省技術研究本部長, 富士通株式会社
• 量子半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-146177   Applicant：富士通株式会社
• 窒化物系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-035170   Applicant：キヤノン株式会社
• 光半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-301292   Applicant：富士通株式会社
• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-108435   Applicant：日本電信電話株式会社, 独立行政法人宇宙航空研究開発機構

Cited by examiner (9)

• 半導体光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-201768   Applicant：富士通株式会社
• 光半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-301292   Applicant：富士通株式会社
• 窒化物系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-035170   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-245139   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-108435   Applicant：日本電信電話株式会社, 独立行政法人宇宙航空研究開発機構
• 量子ドットの形成方法及び半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-111455   Applicant：株式会社国際電気通信基礎技術研究所
• 半導体発光素子、その製造方法およびその半導体発光素子を用いた半導体レーザジャイロ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-205235   Applicant：株式会社国際電気通信基礎技術研究所
• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-205293   Applicant：防衛省技術研究本部長, 富士通株式会社
• 量子半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-146177   Applicant：富士通株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

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Cited by examiner (9)

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