Pat
J-GLOBAL ID:201803017404615616

ペロブスカイト材料を堆積させる方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  大貫 進介
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2017564574
Publication number (International publication number):2018518845
Application date: Jun. 10, 2016
Publication date: Jul. 12, 2018
Summary:
ペロブスカイト材料の層を含む光活性領域を含む光起電力デバイスを製造する方法であって、ペロブスカイト材料の前記層が、粗さ平均(Ra)又は二乗平均平方根粗さ(Rrms)50nm以上を有する表面の上に堆積される、方法が提供される。当該方法は、 前記ペロブスカイト材料の1以上の初期前駆体化合物を含む実質的に連続し、且つ、コンフォーマルな固体層を堆積させるために蒸着を使用すること、及び 続いて、前記粗い表面上に前記ペロブスカイト材料の実質的に連続し、且つ、コンフォーマルな固体層を形成するため、前記固体層を1以上のさらなる前駆体化合物で処理すること、を含む。また、当該方法を用いて配置されたペロブスカイト材料の層を含む光活性領域を含む光起電力デバイスが提供される。〔選択図〕 図8a
Claim (excerpt):
ペロブスカイト材料の層を含む光活性領域を含む光起電力デバイスを製造する方法であって、ペロブスカイト材料の前記層が、粗さ平均(Ra)又は二乗平均平方根粗さ(Rrms)50nm以上を有する表面の上に堆積され、当該方法は、 前記粗い表面上に前記ペロブスカイト材料の1以上の初期前駆体化合物を含む実質的に連続し、且つ、コンフォーマルな固体層を堆積させるために蒸着を使用すること、及び 続いて、前記1以上の初期前駆体化合物を含む前記固体層を1以上のさらなる前駆体化合物で処理し、及びそれにより、前記粗い表面上に前記ペロブスカイト材料の実質的に連続し、且つ、コンフォーマルな固体層を形成するため、前記1以上の初期前駆体化合物と前記1以上のさらなる前駆体化合物とを反応させること、 を含む、方法。
IPC (1):
H01L 51/44
FI (1):
H01L31/04 112Z
F-Term (11):
5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151AA05 ,  5F151AA09 ,  5F151AA10 ,  5F151DA16 ,  5F151FA03 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03 ,  5F151GA14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 光電子素子
    Gazette classification:公表公報   Application number:特願2015-531644   Applicant:イシスイノベイションリミテッド
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page