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J-GLOBAL ID：201803017905225036

コアシェル型シリカの製造方法

Inventor： 増永 幸 ,  有光 慎之介 ,  宮原 浩嘉 ,  簑原 士行
Applicant, Patent owner： AGCエスアイテック株式会社
Agent (4)： 三好 秀和 ,  高橋 俊一 ,  伊藤 正和 ,  高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018034997
Publication number (International publication number)：2018150226
Application date： Feb. 28, 2018
Publication date： Sep. 27, 2018
Summary：

【課題】コアシェル型シリカにおいて、多孔質のシェル層の一層分の厚さを厚くして、シェル層全体の積層数を少なくする。【解決手段】シリカ粒子の表面にスクシンイミド骨格を有する高分子化合物を反応させ、ポリアミン化合物を反応させ、カチオン性高分子化合物で修飾された修飾シリカを得て、該修飾シリカにシリカ原料を付着させ、カチオン性高分子化合物を除去し、シリカシェル層を得る、コアシェル型シリカの製造方法である。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

シリカ粒子の表面にスクシンイミド骨格を有する高分子化合物を反応させ、ポリアミン化合物を反応させ、カチオン性高分子化合物で修飾された修飾シリカを得て、 該修飾シリカにシリカ原料を付着させ、カチオン性高分子化合物を除去し、シリカシェル層を得る、コアシェル型シリカの製造方法。

IPC (4)：

C01B 33/18 ,  C08G 73/10 ,  C08G 69/10 ,  C08G 69/48

FI (4)：

C01B33/18 C ,  C08G73/10 ,  C08G69/10 ,  C08G69/48

F-Term (48)：

4G072AA25 ,  4G072BB05 ,  4G072BB07 ,  4G072DD03 ,  4G072DD04 ,  4G072GG03 ,  4G072HH18 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ14 ,  4G072JJ42 ,  4G072LL14 ,  4G072LL15 ,  4G072MM03 ,  4G072MM22 ,  4G072MM23 ,  4G072MM31 ,  4G072MM33 ,  4G072MM36 ,  4G072QQ09 ,  4G072UU11 ,  4G072UU13 ,  4G072UU15 ,  4G072UU17 ,  4G072UU30 ,  4J001DA01 ,  4J001DD13 ,  4J001EA41 ,  4J001EC03 ,  4J001EC05 ,  4J001EE65A ,  4J001FC03 ,  4J001GE02 ,  4J001HA10 ,  4J001JA20 ,  4J001JC02 ,  4J043PA01 ,  4J043PA02 ,  4J043PB07 ,  4J043QB06 ,  4J043RA34 ,  4J043XA03 ,  4J043XB11 ,  4J043XB27 ,  4J043YA03 ,  4J043YA25 ,  4J043YB08 ,  4J043YB32 ,  4J043ZB35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭59-112260