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J-GLOBAL ID：201803018912106740

光電変換素子、撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置

Inventor： 室山 雅和 ,  坂東 雅史
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (2)： 山本 孝久 ,  吉井 正明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016244223
Publication number (International publication number)：2018098438
Application date： Dec. 16, 2016
Publication date： Jun. 21, 2018
Summary：

【課題】低い暗電流値を有し、暗電流値の経時変化が少ない撮像素子を提供する。【解決手段】撮像素子は、第1電極11、有機光電変換層13及び第2電極12の積層構造を有し、第1電極11と有機光電変換層13との間に、第1電極側から、第1有機材料層(電荷注入ブロッキング層)14及び第2有機材料層(凝集抑制層あるいは拡散防止層)15が形成されている。あるいは又、第1有機材料層(電荷注入ブロッキング層)14、第2有機材料層(下地層)15が形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1電極、有機光電変換層及び第2電極の積層構造を有し、 第1電極と有機光電変換層との間に、第1電極側から、第1有機材料層及び第2有機材料層が形成されている撮像素子。

IPC (6)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/361 ,  H04N 5/369 ,  H04N 5/374 ,  H01L 31/10

FI (6)：

H01L27/14 E ,  H01L27/14 D ,  H04N5/335 610 ,  H04N5/335 690 ,  H04N5/335 740 ,  H01L31/10 A

F-Term (51)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118BA19 ,  4M118CA15 ,  4M118CA22 ,  4M118CA27 ,  4M118CB13 ,  4M118CB14 ,  4M118CB20 ,  4M118DD04 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FB23 ,  4M118FB24 ,  4M118GA02 ,  4M118GB03 ,  4M118GB09 ,  4M118GB11 ,  4M118GC08 ,  4M118GC14 ,  4M118GC15 ,  4M118GD03 ,  4M118GD04 ,  4M118HA22 ,  4M118HA26 ,  4M118HA27 ,  4M118HA30 ,  4M118HA31 ,  5C024CX32 ,  5C024GX03 ,  5C024GX07 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01 ,  5C024HX40 ,  5F849AA03 ,  5F849AB11 ,  5F849BA05 ,  5F849BA10 ,  5F849BB03 ,  5F849EA04 ,  5F849EA13 ,  5F849FA02 ,  5F849GA02 ,  5F849LA02 ,  5F849XA01 ,  5F849XA13