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J-GLOBAL ID:201803019677229371
相変化チャネルトランジスタ及びその駆動方法。
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
北野 好人
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2017055572
Publication number (International publication number):2017152708
Patent number:6284213
Application date: Mar. 22, 2017
Publication date: Aug. 31, 2017
Claim (excerpt):
【請求項1】 バックゲート電極と、
前記バックゲート電極上に形成され、厚膜部と、前記厚膜部を挟むように配置された薄膜部と、前記厚膜部と前記薄膜部との境界部に配置された傾斜部とを有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、電界の印加によりトポロジカル相転移が生じる相変化材料を含むチャネル層と、
前記厚膜部上の前記チャネル層の上に形成されたゲート電極と、
前記薄膜部上の前記チャネル層の上に前記ゲート電極を挟むように形成されたソース電極及びドレイン電極と
を有することを特徴とする相変化チャネルトランジスタ。
IPC (5):
H01L 29/66 ( 200 6.01)
, H01L 21/337 ( 200 6.01)
, H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/808 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
FI (2):
H01L 29/66 Z
, H01L 29/80 W
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