光水分解反応用電極の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：山本典輝 , 山下昭彦 , 岸本達人
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2016035141
Publication number (International publication number)：2016144804
Patent number：6270884
Application date： Feb. 26, 2016
Publication date： Aug. 12, 2016
Claim (excerpt)：

【請求項1】光触媒粒子を構成する光触媒として、オキシナイトライド、ナイトライド、オキシサルファイド、および、サルファイドからなる群から選ばれる1種以上が支持体上に堆積されてなるとともに、前記光触媒粒子の周囲に半導体または良導体が付与された光水分解反応用電極の製造方法であって、前記半導体または良導体が、TiN、TiO2、Ta3N5、TaON、ZnO、SnO2、ITO、Ag、Au、C、Cu、Cd、Co、Cr、Fe、Ga、Ge、Hg、Ir、In、Mn、Mo、Ni、Nb、Pb、Ru、Re、Rh、Sn、Sb、Ta、Ti、V、W、並びに、これらの合金および混合物から選ばれるいずれかであり、前記半導体または良導体の前駆体溶液に前記光触媒粒子を浸漬および乾燥を繰り返して、該半導体または良導体の前駆体で該光触媒粒子をコーティングした後、熱分解処理を行うことを特徴とする、光水分解反応用電極の製造方法。

IPC (9)：

B01J 35/02 ( 200 6.01) , H01G 9/20 ( 200 6.01) , B01J 37/08 ( 200 6.01) , B01J 37/02 ( 200 6.01) , B01J 27/24 ( 200 6.01) , C25B 11/06 ( 200 6.01) , C25B 11/08 ( 200 6.01) , C25B 11/04 ( 200 6.01) , C25B 1/04 ( 200 6.01)

FI (9)：

B01J 35/02 J , H01G 9/20 101 , B01J 37/08 , B01J 37/02 101 C , B01J 27/24 M , C25B 11/06 A , C25B 11/08 A , C25B 11/04 Z , C25B 1/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

金属オキシナイトライド電極触媒
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-403653 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
耐酸性電極触媒
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-345804 Applicant：国立大学法人東京大学
水分解型水素生成セル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-372292 Applicant：トヨタ自動車株式会社