Tanaka Hajime

タナカハジメ | Tanaka Hajime

Affiliation and department：

Research field (1)： Electric/electronic material engineering

Research keywords (3)： simulation , carrier transport , semiconductor

Research theme for competitive and other funds (8)：

2024 - 2029 SiC MOS反転層における電子輸送機構の原子論と量子論に基づく解明
2021 - 2026 Materials Science and Device Physics in SiC toward Robust Electronics
2021 - 2024 ワイドギャップ半導体における衝突イオン化現象の理論研究
2021 - 2022 ワイドギャップ半導体での高電界キャリア輸送に関する理論解析
2020 - 2021 低損失パワーデバイスに向けたSiC MOS界面における電子輸送の理論研究

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Papers (41)：

Koji Ito, Hajime Tanaka, Masahiro Horita, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto. Influence of fixed charges and trapped electrons on free electron mobility at 4H-SiC(0001)/SiO₂ interfaces with gate oxides annealed in NO or POCl₃. Applied Physics Express. 2024. 17. 8. 081003-081003
Seyed Ali Mojtahedzadeh, Hajime Tanaka, Nobuya Mori. Carrier transport simulations in twisted bilayer and turbostratic multilayer graphene systems. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 5. 05SP09-05SP09
Hajime Tanaka, Tsunenobu Kimoto, Nobuya Mori. Theoretical study on high-field carrier transport and impact ionization coefficients in 4H-SiC. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024. 173. 108126-108126
Seyed Ali Mojtahedzadeh, Hajime Tanaka, Nobuya Mori. Monte Carlo simulation of mobility enhancement in multilayer graphene with turbostratic structure. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 3. 031004-031004
Masahiro Hara, Takeaki Kitawaki, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto. Tunneling current through non-alloyed metal/heavily-doped SiC interfaces. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024. 171. 108023-108023

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MISC (8)：

岡田丈, 田中一, 森伸也. 半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱で決まる平均自由行程の量子論に基づく数値解析手法. 電子情報通信学会技術研究報告. 2024. 124. 145. 21-24
岡田丈, 田中一, 森伸也. 半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱の量子論に基づく数値解析. 電子情報通信学会技術研究報告. 2023. 123. 250. 10-15
田中一. SISPAD 2023 レビュー. 電子情報通信学会技術研究報告. 2023. 123. 250. 1-6
森伸也, 橋本風渡, 三島嵩也, 田中一. ファンデルワールスヘテロ構造におけるバンド間トンネルのNEGFシミュレーション. 電子情報通信学会技術研究報告. 2020. 120. 239. 52-57
Modeling of Electron Transport in 4H-SiC MOS Inversion Layers. IEICE technical report. 2018. 118. 291. 35-40

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Lectures and oral presentations (120)：

Impact of interface structure on electronic states in 4H-SiC inversion layer
(2024 International Conference on Solid State Devices and Materials 2024)
半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱で決まる平均自由行程の量子論に基づく数値解析手法
(電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 2024)
金属/高濃度ドープSiC非合金化界面トンネル現象の理解に基づく低抵抗オーミック接合形成
(シリコンテクノロジー分科会第251回研究集会 2024)
SiCにおける反転層移動度および高電界輸送現象のシミュレーション
(シリコンテクノロジー分科会第251回研究集会 2024)
Modeling and simulation of carrier transport properties in 4H-SiC
(2024 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications 2024)

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Education (2)：

2013 - 2017 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
2009 - 2013 Kyoto University Faculty of Engineering School of Electrical & Electronic Engineering

Professional career (1)：

Work history (5)：

Committee career (7)：

2023/12 - 現在 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 2024 Program Committee Member
2022/08 - 現在 Asia-Pacific Workshop on Advanced Semiconductor Devices (AWAD) Program Committee Member
2021/06 - 現在電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会専門委員
2023/12 - 2024/11 2024 International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM2024) Steering Committee Member
2021/07 - 2023/10 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 2023 Program Vice Chair

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Awards (6)：

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※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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