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J-GLOBAL ID：201902212502215186   Reference number：19A0203813

Plasmonic Heat Shielding in the Infrared Range Using Oxide Semiconductor Nanoparticles Based on Sn-Doped In₂O₃: Effect of Size and Interparticle Gap

SnドープIn_2O_3に基づく酸化物半導体ナノ粒子を用いた赤外領域におけるプラズモン熱遮蔽:サイズと粒子間ギャップの影響【JST・京大機械翻訳】

Author (6)： Matsui Hiroaki (Department of Bioengineering, The University of Tokyo) ,  Matsui Hiroaki (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo) ,  Hasebe Takayuki (Central Customs Laboratory, Ministry of Finance, Chiba, Japan) ,  Hasuike Noriyuki (Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology, Japan) ,  Tabata Hitoshi (Department of Bioengineering, The University of Tokyo) ,  Tabata Hitoshi (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo)
Material： ACS Applied Nano Materials
Volume： 1  Issue： 4  Page： 1853-1862  Publication year： 2018 
JST Material Number： W5033A  ISSN： 2574-0970  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We present in this work advanc...

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Thesaurus term： *nano particle ,  spectrum ,  reflectivity ,  interaction ,  particle size(diameter) ,  energy saving ,  electric field ,  resonance ,  *plasmon ,  microwave ,  ultraviolet radiation ,  three dimension ,  *doping ,  particle size(ratio) ,  *infrared radiation

Author keywords (7)： oxide semiconductor ,  nanoparticle ,  surface plasmon ,  infrared ,  heat shielding ,  window application ,  and electron transport

JST classification (1)： Solid-state plasmas  (BM02160W)

Terms in the title (9)： Sn ,  ドープ ,  酸化物半導体 ,  ナノ粒子 ,  赤外領域 ,  プラズモン ,  熱遮蔽 ,  サイズ ,  ギャップ