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J-GLOBAL ID：201902213426813030   Reference number：19A0610729

Observation of Dopant Concentration in GaN Semiconductor by High Sensitivity Electron Holography

高感度電子線ホログラフィーによるGaN系半導体のドーパント濃度分布の観察

Author (11)： NAKANO KIYOTAKA (一般財団法人ファインセラミックスセンター) ,  MATSUMOTO MIKO (一般財団法人ファインセラミックスセンター) ,  ANADA SATOSHI (一般財団法人ファインセラミックスセンター) ,  YAMAMOTO KAZUO (一般財団法人ファインセラミックスセンター) ,  ISHIKAWA YUKARI (一般財団法人ファインセラミックスセンター) ,  HIRAYAMA TSUKASA (一般財団法人ファインセラミックスセンター) ,  ANDO YUTO (名古屋大学) ,  OGURA MASAYA (名古屋大学) ,  TANAKA ATSUSHI (名古屋大学) ,  HONDA YOSHIO (名古屋大学) ,  AMANO HIROSHI (名古屋大学)
Material： まてりあ  (Materia Japan)
Volume： 58  Issue： 2  Page： 103(J-STAGE)  Publication year： 2019 
JST Material Number： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  dopant ,  *concentration distribution ,  *Holography ,  image ,  *electron beam holography
Semi thesaurus term： phase image

Author keywords (4)： TEM ,  electron holography ,  nitride semiconductor ,  GaN

JST classification (2)： Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G) ,  Particle optics in general  (BD02010J)

Terms in the title (6)： 高感度 ,  電子線ホログラフィー ,  GaN ,  ドーパント ,  濃度分布 ,  観察