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J-GLOBAL ID：201902213912392860   Reference number：19A0034906

An Ultrafast Discrete Short-Circuit Protection Circuit for GaN HEMTs

GaN HEMT用の超高速離散短絡保護回路【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Hou Ruoyu (GaN Systems Inc., Ottawa, Canada) ,  Lu Juncheng (GaN Systems Inc., Ottawa, Canada) ,  Chen Di (GaN Systems Inc., Ottawa, Canada)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2018  Issue： ECCE  Page： 1920-1925  Publication year： 2018 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Gallium Nitride enhancement-mo...

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Thesaurus term： simulation ,  *high speed ,  gallium nitride ,  switching ,  electric power ,  direct current link ,  electronic equipment ,  turn-off ,  converter ,  voltage ,  switching behavior
Semi thesaurus term： *短絡保護 ,  *保護回路 ,  *超高速 ,  *GaN HEMT , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (4)： GaN ,  HEMT ,  短絡 ,  保護回路