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J-GLOBAL ID：201902215216124117   Reference number：19A2114687

Gate-controlled proximity magnetoresistance in an InAs / (Ga,Fe)Sb quantum well heterostructure

InAs/(Ga,Fe)Sb量子井戸ヘテロ構造におけるゲート制御近接磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】

Author (6)： Takiguchi Kosuke (The University of Tokyo, Japan) ,  Duc Anh Le (Institute of Engineering Innovation, The University of Tokyo, Japan) ,  Chiba Takahiro (National Institute of Technology, Fukushima College, Japan) ,  Koyama Tomohiro (The University of Tokyo, Japan) ,  Chiba Daichi (The University of Tokyo, Japan) ,  Tanaka Masaaki (Center for Spintronics Research Network, The University of Tokyo, Japan)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2019  Issue： CSW  Page： 1  Publication year： 2019 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The evolution of information t...

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Thesaurus term： *quantum well ,  channel ,  ferromagnetism ,  *magnetics ,  two dimension ,  electric current ,  *magnetic reluctance ,  wave function ,  *indium arsenide
Semi thesaurus term： ゲート電圧 ,  二重層 ,  非磁性 ,  トンネル磁気抵抗 ,  巨大磁気抵抗 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Graphic and image processing in general  (JE04010I) ,  Medical image processing  (JE04020T)

Terms in the title (8)： InAs ,  Ga ,  Fe ,  Sb ,  量子井戸 ,  ヘテロ構造 ,  ゲート制御 ,  磁気抵抗