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J-GLOBAL ID：201902218537374907   Reference number：19A0296702

Realization of New Spin Dependence Transport Phenomena and Nonvolatile Logic Devices Using Fe-based Ferromagnetic Semiconductors

Fe系強磁性半導体による新規スピン依存伝導現象と不揮発性論理デバイスの創製

Author (2)： ANH Le Duc (東大 工学系研究科 総合研究機構) ,  TANAKA MASAAKI (東大)
Material： 村田学術振興財団年報  (Annual Report of the Murata Science Foundation)
Issue： 32 12月  Page： 481-490  Publication year： Dec. 2018 
JST Material Number： L5491A  ISSN： 0919-3383  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *ferromagnetic semiconductor ,  nonvolatility ,  *logic element ,  iron compound ,  gallium arsenide ,  gallium antimonide ,  indium arsenide ,  buffer layer ,  valence band ,  lattice constant ,  magnetic reluctance ,  magnetic anisotropy ,  ferromagnetism ,  electron spin ,  magnetic substance ,  *magneto transistor ,  MBE growth
Semi thesaurus term： *spin transistor ,  shape magnetic anisotropy ,  magnetic easy axis ,  room temperature ferromagnetism

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Magnetic properties of inorganic compounds  (BM06060P)

Reference (5)：

• N. T. Tu, P. N. Hai, L. D. Anh, M. Tanaka, Phys. Rev. B 92, 144403 (2015).
• L. D. Anh, D. Kaneko, P. N. Hai, M. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 107, 232405 (2015).
• P. N. Hai, L. D. Anh, S. Mohan, T. Tamegai, M. Kodzuka, T. Ohkubo, K. Hono, M. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 101, 182403 (2012).
• N. T. Tu, P. N. Hai, L. D. Anh, M. Tanaka, Appl. Phys. Express 11, 063005 (2018)
• Nakayama et al., Phys. Rev. Lett. 110, 1-5 (2013).

Terms in the title (7)： Fe系 ,  強磁性半導体 ,  スピン依存伝導 ,  現象 ,  不揮発性 ,  論理デバイス ,  創製