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J-GLOBAL ID：201902218770259546   Reference number：19S1384016

Residual electric fields of InGaAs/AlAs/AlAsSb (001) coupled double quantum wells structures assessed by photoreflectance anisotropy

Author (10)： González-Fernández, J. V. (Instituto de Investigación en Comunicación Óptica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí) ,  Herrera-Jasso, R. (Instituto de Investigación en Comunicación Óptica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí) ,  Ulloa-Castillo, N. A. (Instituto de Investigación en Comunicación Óptica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí) ,  Ortega-Gallegos, J. (Instituto de Investigación en Comunicación Óptica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí) ,  Castro-García, R. (Instituto de Investigación en Comunicación Óptica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí) ,  Lastras-Martínez, L. F. (Instituto de Investigación en Comunicación Óptica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí) ,  Lastras-Martínez, A. (Instituto de Investigación en Comunicación Óptica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí) ,  Balderas-Navarro, R. E. (Instituto de Investigación en Comunicación Óptica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí) ,  Mozume, T. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technologies, Tsukuba Central) ,  Gozu, S. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technologies, Tsukuba Central)
Material： International Journal of Modern Physics B
Volume： 30  Issue： 1  Publication year： 2016 
JST Material Number： SCOPUS  ISSN： 0217-9792  CODEN： IJPBE 
Country of issue： Singapore (SGP)  Language： English (EN)

Terms in the title (2)： InGaAs ,  AlAs