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J-GLOBAL ID：201902221101996323   Reference number：19A1483255

Pressure-induced hydrogen localization coupled to a semiconductor-insulator transition in a hydrogen-bonded molecular conductor

水素結合分子伝導体における半導体-絶縁体転移に結合した圧力誘起水素局在化【JST・京大機械翻訳】

Author (12)： Ueda Akira (The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan. [e-mail] [e-mail]) ,  Kishimoto Kouki ,  Isono Takayuki ,  Yamada Shota ,  Kamo Hiromichi ,  Kobayashi Kensuke ,  Kumai Reiji ,  Murakami Youichi ,  Gouchi Jun ,  Uwatoko Yoshiya ,  Nishio Yutaka ,  Mori Hatsumi
Material： RSC Advances (Web)
Volume： 9  Issue： 32  Page： 18353-18358  Publication year： 2019 
JST Material Number： U7055A  ISSN： 2046-2069  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Purely organic crystals, κ-X<s...

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Thesaurus term： *conductor ,  Hydrostatic Pressure ,  conductive property ,  condensation reaction ,  *hydrogen bond ,  interaction ,  electrical resistivity ,  *Hydrogen ,  crystal structure ,  pressure induced phase transition ,  organic crystal ,  semiconductor-insulator transition
Semi thesaurus term： *局在化 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： General theory of electronic transport  (BM03020C)

Terms in the title (6)： 水素結合 ,  分子 ,  半導体-絶縁体転移 ,  誘起 ,  水素 ,  局在化