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J-GLOBAL ID：201902221612075002   Reference number：19A2640042

Deposition and etching behaviour of boron trichloride gas at silicon surface

シリコン表面における三塩化ホウ素ガスの堆積とエッチング挙動【JST・京大機械翻訳】

Author (4)： Muroi Mitsuko (Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan) ,  Yamada Ayami (Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan) ,  Saito Ayumi (Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan) ,  Habuka Hitoshi (Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 529  Page： Null  Publication year： 2020 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The deposition and etching at ...

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Thesaurus term： *boron ,  high temperature ,  codeposition ,  *boron chloride ,  chemical reactor ,  chemical vapor deposition ,  *silicon ,  rate of sedimentation ,  *etching ,  mixed gas ,  film thickness ,  doping ,  Dichlorosilane ,  temperature range ,  monochlorosilane
Semi thesaurus term： クロロシラン , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (6)： A1. Doping ,  A1. Etching ,  A1. Surface processes ,  A3. Chemical vapor deposition processes ,  B1. Elemental solid ,  B2. Semiconductor silicon

JST classification (2)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： シリコン ,  三塩化ホウ素 ,  堆積 ,  エッチング ,  挙動