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J-GLOBAL ID：201902224189180644   Reference number：19A1778972

Mapping the interfacial reaction of α-Ga₂O₃ Schottky contacts through scanning internal photoemission microscopy

走査型内部光電子顕微鏡によるα-Ga_2O_3Schottky接触の界面反応のマッピング【JST・京大機械翻訳】

Author (4)： Shiojima Kenji (Graduate School of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui, Fukui 910-8507, Japan) ,  Kambara Hitoshi (FLOSFIA Inc., Kyodai-Katsura Venture Plaza, Kyoto 615-8245, Japan) ,  Matsuda Tokiyoshi (FLOSFIA Inc., Kyodai-Katsura Venture Plaza, Kyoto 615-8245, Japan) ,  Shinohe Takashi (FLOSFIA Inc., Kyodai-Katsura Venture Plaza, Kyoto 615-8245, Japan)
Material： Thin Solid Films
Volume： 685  Page： 17-25  Publication year： 2019 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We used herein scanning intern...

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Thesaurus term： oxygen ,  titanium ,  electrical property ,  annealing(heat treatment) ,  characterization ,  iron ,  rectification(electric) ,  electric current ,  thermal stability ,  photocurrent ,  vapor deposition ,  *scanning ,  *interface(surface)
Semi thesaurus term： 障壁高さ ,  *界面反応 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (6)： α-gallium oxide ,  Schottky barrier diodes ,  Scanning internal photoemission microscopy ,  Thermal degradation ,  Interfacial reaction ,  Two-dimensional characterization

JST classification (3)： Electrochemical reaction  (CB07050F) ,  Oxide thin films  (BK14050P) ,  Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Terms in the title (4)： 走査型 ,  光電子顕微鏡 ,  界面反応 ,  マッピング