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J-GLOBAL ID：201902225009713237   Reference number：19A2741054

Characteristics of Multi-photon Absorption in a β-Ga₂O₃ Single Crystal

β-Ga₂O₃単結晶の多光子吸収特性

Author (3)： YAMAOKA Suguru (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  MIKUNI Yusuke (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAYAMA Masaaki (Osaka City Univ., Osaka, JPN)
Material： Journal of the Physical Society of Japan  (JPSJ)
Volume： 88  Issue： 11  Page： 113701.1-113701.3  Publication year： Nov. 15, 2019 
JST Material Number： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium oxide ,  compound semiconductor ,  multiple quantum transition ,  *self-trapped exciton ,  photoluminescence ,  electronic transition ,  transition energy ,  conduction band ,  valence band
Semi thesaurus term： interband transition ,  optical transition ,  oxide semiconductor ,  *multiphoton adsorption

JST classification (4)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Excitons  (BM02120E) ,  Nonlinear optics  (BD05000T)

Reference (18)：

• H. H. Tippins, Phys. Rev. 140, A316 (1965).
• T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 112601 (2015).
• M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, Appl. Phys. Lett. 100, 013504 (2012).
• N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, and H. Kawazoe, Appl. Phys. Lett. 70, 3561 (1997).
• D. Guo, Z. Wu, P. Li, Y. An, H. Liu, X. Guo, H. Yan, G. Wang, C. Sun, L. Li, and W. Tang, Opt. Mater. Express 4, 1067 (2014).

Terms in the title (3)： β-Ga2O3 ,  単結晶 ,  多光子吸収