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J-GLOBAL ID：201902226162712180   Reference number：19A2619409

高分子半導体P3HTの末端置換基が太陽電池特性に与える影響

Author (8)： TAKASAKI EIJI (金沢大 大学院) ,  KARAKAWA MAKOTO (金沢大 InFiniti) ,  KARAKAWA MAKOTO (金沢大 NanoMaRi) ,  NAKANO MASAHIRO (金沢大 大学院) ,  TAIMA TETSUYA (金沢大 InFiniti) ,  TAIMA TETSUYA (金沢大 NanoMaRi) ,  SHAHIDUZZAMAN Md. (金沢大 NanoMaRi) ,  TAKAHASHI KOSHIN (金沢大 大学院)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 80th  Page： ROMBUNNO.20a-PB2-58  Publication year： Sep. 04, 2019 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： polymeric semiconductor ,  *poly(hexylthiophene) ,  *substituent effect ,  device structure ,  light resistance ,  current density ,  solar cell
Semi thesaurus term： *P3HT(polymer) ,  *end group effect ,  short-circuit current density

JST classification (1)： Solar cell  (NC03084O)

Terms in the title (4)： 高分子半導体 ,  P3HT ,  置換基 ,  太陽電池