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J-GLOBAL ID：201902226609359921   Reference number：19A0391670

Au誘起横方向成長により形成した低温結晶化Ge薄膜の結晶性評価

Author (5)： NISHIJIMA TAIKI (熊本高専) ,  HAMASAKI TAKESHI (熊本高専) ,  KUSANO KINTA (熊本高専) ,  TAKAKURA KEN'ICHIRO (熊本高専) ,  TSUNODA ISAO (熊本高専)
Material： 応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集(Web)
Volume： 44  Page： 47 (WEB ONLY)  Publication year： Dec. 08, 2018 
JST Material Number： U0757A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *epitaxy ,  crystallization ,  thin film growth ,  *crystallinity ,  *germanium ,  semiconductor thin film ,  semiconductor ,  *crystal growth ,  Raman spectroscopy ,  energy dispersive X-ray spectrometry
Semi thesaurus term： *lateral growth ,  low temperature crystallization ,  crystallinity ,  *low temperature growth ,  metal induced lateral crystallization

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： Au ,  誘起 ,  横方向成長 ,  低温結晶化 ,  Ge ,  薄膜 ,  結晶性 ,  評価