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J-GLOBAL ID：201902226648864089   Reference number：19A1701455

強電場下におけるGaN系量子井戸中励起子の光学スペクトルの計算

Author (2)： ITO KIRARA (宇都宮大 大学院) ,  ISHIDA KUNIO (宇都宮大 大学院)
Material： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
Volume： 74  Issue： 1  Page： ROMBUNNO.15pS-PS-19  Publication year： Mar. 22, 2019 
JST Material Number： S0671C  ISSN： 2189-079X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： electric field ,  electric field effect ,  gallium nitride ,  compound semiconductor ,  *quantum well ,  *exciton ,  *spectrum ,  emission spectrum ,  terahertz wave ,  optical spectra ,  high electric field
Semi thesaurus term： strong electric field

JST classification (2)： Excitons  (BM02120E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (6)： 強電場 ,  GaN ,  量子井戸 ,  励起子 ,  光学スペクトル ,  計算