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J-GLOBAL ID：201902227751641284   Reference number：19A2598234

InGaNの表面-バルク電子状態評価

Author (13)： IMURA MASATAKA (物質・材料研究機構) ,  TSUDA SHUNSUKE (物質・材料研究機構) ,  NAGATA TAKAHIRO (物質・材料研究機構) ,  YAMASHITA YOSHIYUKI (物質・材料研究機構) ,  YOSHIKAWA HIDEKI (物質・材料研究機構) ,  KOBAYASHI KEISUKE (物質・材料研究機構) ,  KOIDE YASUO (物質・材料研究機構) ,  OTA YUICHI (都産技研) ,  MURATA HIDENOBU (大阪府大) ,  YAMAGUCHI TOMOHIRO (工学院大) ,  KANEKO MASAMITSU (立命館大) ,  ARAKI TSUTOMU (立命館大) ,  NANISHI YASUSHI (立命館大)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 80th  Page： ROMBUNNO.18a-PB3-23  Publication year： Sep. 04, 2019 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *indium compound ,  *gallium compound ,  *nitride ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  *photoelectron spectrum ,  *electronic state ,  band structure ,  calculation ,  compound semiconductor ,  hard X-ray photoelectron spectroscopy ,  ab initio calculation ,  *gallium indium nitride
Semi thesaurus term： *InGaN

JST classification (1)： X-ray spectra in general.Including X-ray  (BM08101P)

Terms in the title (4)： InGaN ,  バルク ,  電子状態 ,  評価